| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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LMAK50P06 | 丝印代码：NCE60P50K；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：1.11293 Mbytes Page：6 Pages | LEIDITECH 雷卯电子 |   | |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The NP50P06KDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES •Super low on-state resistance RDS(on)1= 17 mΩMAX. (VGS= −10 V, ID= −25 A) RDS(on)2= 23 mΩMAX. (VGS= −4.5 V, ID= −25 A) •Low input capacitance | NEC 瑞萨 | | ||
P-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：971.65 Kbytes Page：7 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
50A, 600V - 1000V Glass Passivated Bridge Rectifiers 文件：210.87 Kbytes Page：4 Pages | TSC 台湾半导体 | | ||
Glass Passivated Bridge Rectifiers 文件：234.96 Kbytes Page：4 Pages | TSC 台湾半导体 | | ||
-50A, -60V P-CHANNEL (D-S) POWER MOSFET 文件：144.02 Kbytes Page：3 Pages | UTC 友顺 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2019-3-25
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