| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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GaAs InGaP HBT MMIC BROADBAND AMPLIFIER GAIN BLOCK, DC - 6.0 GHz General Description The HMC313 & HMC313E are GaAs InGaP Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) MMIC amplifi ers that operate from a single Vcc supply. The surface mount SOT26 amplifi er can be used as a broadband gain stage or used with external matching for optimized narrow band application | Hittite |   | ||
3AG Slo-Blo Fuse 313/315 Series 文件：94.35 Kbytes Page：1 Pages | Littelfuse 力特 | | ||
3M ??Scotch짰 Box Sealing Tape 313 文件：560.83 Kbytes Page：4 Pages | 3M | | ||
Wiha Insulated 1/4 Sockets & Sets 文件：259.62 Kbytes Page：1 Pages | etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商 | | ||
Low Power Indicator 文件：58.3 Kbytes Page：1 Pages | etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2024-9-27LM317BTG
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2020-3-9LM313-参考二极管
LM113/LM313参考二极管 一般描述 该LM113/LM313是温度补偿，低电压基准二极管。它们的特点是非常紧调控 工作电流超过了在广泛的范围内除了一个不寻常的低击穿电压和良好的温度 稳定。二极管是用合成的晶体管和电阻器在一个单片集成电路。因此，他们有 相同的低噪音和长期稳定，现代集成电路运算安培。此外，输出的基准电压只取决于关于在IC元件高度可预测性，因此他们可以制造和供应紧张的公差。 特点 低击穿电压：1.220V 动态阻抗0.3X从500 mA到20
2013-3-21
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