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MOSFETsSiliconN-channelMOS(U-MOS??

Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=4.8mΩ(typ.) (2)Lowleakagecurrent:IDSS=10µA(max)(VDS=60V) (3)Enhancementmode:Vth=3.0to4.0V(VDS=10V,ID=1mA) Applications •SwitchingVoltageRegulators

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA
更新时间:2024-6-21 22:30:01
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