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TK80E06K3A

MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS ??

Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 4.8 mΩ (typ.) (2) Low leakage current: IDSS = 10 µA (max) (VDS = 60 V) (3) Enhancement mode: Vth = 3.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Applications • Switching Voltage Regulators

TOSHIBA

东芝

TK80E06K3A

Power MOSFET (N-ch single 30V VDSS 60V)

TOSHIBA

东芝

更新时间:2025-12-25 9:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
23+
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