型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
K4H511638C-UC

512Mb C-die DDR SDRAM Specification

文件:212.57 Kbytes Page:24 Pages

Samsung

三星

512Mb C-die DDR SDRAM Specification

文件:212.57 Kbytes Page:24 Pages

Samsung

三星

512Mb C-die DDR SDRAM Specification

文件:212.57 Kbytes Page:24 Pages

Samsung

三星

512Mb C-die DDR SDRAM Specification

文件:212.57 Kbytes Page:24 Pages

Samsung

三星

512Mb C-die DDR SDRAM Specification

文件:212.57 Kbytes Page:24 Pages

Samsung

三星

512Mb C-die DDR SDRAM Specification

文件:212.57 Kbytes Page:24 Pages

Samsung

三星

512Mb B-die DDR SDRAM Specification

Key Features • VDD : 2.5V ± 0.2V, VDDQ : 2.5V ± 0.2V for DDR266, 333 • VDD : 2.6V ± 0.1V, VDDQ : 2.6V ± 0.1V for DDR400 • Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle • Bidirectional data strobe [DQS] (x4,x8) & [L(U)DQS] (x16) • Four banks operation • Differential cl

Samsung

三星

512Mb B-die DDR SDRAM Specification

文件:392.89 Kbytes Page:24 Pages

Samsung

三星

512Mb B-die DDR SDRAM Specification

文件:392.89 Kbytes Page:24 Pages

Samsung

三星

512Mb B-die DDR SDRAM Specification

文件:392.89 Kbytes Page:24 Pages

Samsung

三星

K4H511638C-UC产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    K4H511638C-UC

  • 制造商

    SAMSUNG

  • 制造商全称

    Samsung semiconductor

  • 功能描述

    512Mb C-die DDR SDRAM Specification

更新时间:2025-10-4 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SAMSUNG(三星)
24+
NA/
8735
原厂直销,现货供应,账期支持!
SAMSUNG
2016+
TSOP
5000
全新原装现货,只售原装,假一赔十!
SAM
23+
TSOP
20000
全新原装假一赔十
SAMSUNG
24+
TSSOP-6
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
SAMSUNG/三星
25+
TSSOP66
54658
百分百原装现货 实单必成
SAMSUNG/三星
22+
TSSOP66
100000
代理渠道/只做原装/可含税
SAMSUNG
24+
TSOP
20000
全新原厂原装,进口正品现货,正规渠道可含税!!
SAMSUNG/三星
25+
TSSOP
880000
明嘉莱只做原装正品现货
SAMSUNG/三星
21+
TSSOP66
7500
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税发票
SAMSUNG
22+
TSOP
8000
原装正品支持实单

K4H511638C-UC数据表相关新闻