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K4H511638B-GCSLASHLCC

512Mb B-die DDR SDRAM Specification

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Samsung

三星

512Mb C-die DDR SDRAM Specification

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Samsung

三星

512Mb B-die DDR SDRAM Specification

Key Features • VDD : 2.5V ± 0.2V, VDDQ : 2.5V ± 0.2V for DDR266, 333 • VDD : 2.6V ± 0.1V, VDDQ : 2.6V ± 0.1V for DDR400 • Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle • Bidirectional data strobe [DQS] (x4,x8) & [L(U)DQS] (x16) • Four banks operation • Differential cl

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三星

更新时间:2025-10-13 14:38:00
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