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K20N60

Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode

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Infineon

英飞凌

20A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET

■ DESCRIPTION The UTC 20N60 is an N-channel enhancement mode power MOSFET using UTC’s advanced technology to provide customers with planar stripe and DMOS technology. This technology is specialized in allowing a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also can withstand

UTC

友顺

HiPerFAST IGBT

VCES = 600 V IC25 = 40 A VCE(sat)typ = 1.7 V tfi(typ) = 100 ns Features • International standard packages JEDEC TO-268 surface mountable and JEDEC TO-247 AD • High current handling capability • Latest generation HDMOSTM process • MOS Gate turn-on - drive simplicity

IXYS

艾赛斯

Fast Switching

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ISC

无锡固电

N-Channel 650-V (D-S) Super Junction MOSFET

文件:1.15549 Mbytes Page:11 Pages

VBSEMI

微碧半导体

20A 600V N-channel enhanced field effect transistor

文件:833.85 Kbytes Page:6 Pages

YFWDIODE

佑风微

更新时间:2025-12-25 23:01:00
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    K24C02C-SIRGA,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.

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    K150E09NE ,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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    K12C15N C&K 的 K12 高性能按键开关有多种 LED 颜色、行程和起动力选择, 非常适合摩托车、越野车、操纵杆、网络设备或工业电子设备。K12 是专为低电平切换而设计的, 而且持久耐用。它可以密封抵御外来环境, 也有双冲程或检测器版本可用。

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    K2698,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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