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60VN-ChannelPowerMosfet

Features VDS=60V,ID=35A RDS(ON),23mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),30mΩ(Typ)@VGS=4.5V FastSwitching LowONResistance(Rdson≤29mΩ) LowGateCharge LowReversetransfercapacitances 100SinglePulseavalancheenergyTest

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友台半导体广东友台半导体有限公司

UMW

60VN-ChannelPowerMosfet

GeneralDescription TheseN-channelenhancementmodepowermosfetsused advancedtrenchtechnologydesign,providedexcellentRdson andlowgatecharge.WhichaccordswiththeRoHSstandard. Features VDS=60V,ID=35A RDS(ON),23mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),30mΩ(Typ)@VGS=4.5V FastSwit

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊欧翊欧半导体

EVVOSEMI

60VN-ChannelTrenchMOSFET

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SEMIHOW

SemiHow Co.,Ltd.

SEMIHOW

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

文件:973.99 Kbytes Page:4 Pages

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

DOINGTER

N-Channel60-V(D-S)MOSFET

文件:897.44 Kbytes Page:6 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI
更新时间:2025-5-14 18:25:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
UMW(广东友台半导体)
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