型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS?? Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 100 mΩ (typ.) (VGS = -10 V) (2) Low leakage current: IDSS = -10 µA (max) (VDS = -100 V) (3) Enhancement mode: Vth = -2.0 to -4.0 V (VDS = -10 V, ID = -1 mA) Applications • Switching Voltage Regulators | TOSHIBA 东芝 | |||
Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf | TOSHIBA 东芝 | |||
isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= -11A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= -100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =130mΩ(Max)@VGS= -10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 |
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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TOS |
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