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TJ11A10M3中文资料

厂家型号

TJ11A10M3

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9

功能描述

MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS??

MOSFETs Silicon P-Channel MOS(U-MOS??±)

数据手册

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生产厂商

TOSHIBA

TJ11A10M3数据手册规格书PDF详情

Features

(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 100 mΩ (typ.) (VGS = -10 V)

(2) Low leakage current: IDSS = -10 µA (max) (VDS = -100 V)

(3) Enhancement mode: Vth = -2.0 to -4.0 V (VDS = -10 V, ID = -1 mA)

Applications

• Switching Voltage Regulators

TJ11A10M3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TJ11A10M3

  • 制造商

    TOSHIBA

  • 制造商全称

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述

    MOSFETs Silicon P-Channel MOS(U-MOS??±)

更新时间:2025-10-18 9:38:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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