型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
TJ11A10M3

MOSFETsSiliconP-ChannelMOS(U-MOS??

Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=100mΩ(typ.)(VGS=-10V) (2)Lowleakagecurrent:IDSS=-10µA(max)(VDS=-100V) (3)Enhancementmode:Vth=-2.0to-4.0V(VDS=-10V,ID=-1mA) Applications •SwitchingVoltageRegulators

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
TJ11A10M3

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
TJ11A10M3

iscP-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=-11A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=130mΩ(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

TJ11A10M3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TJ11A10M3

  • 制造商

    TOSHIBA

  • 制造商全称

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述

    MOSFETs Silicon P-Channel MOS(U-MOS??±)

更新时间:2025-7-18 22:30:00
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TOSHIBA
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