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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
TJ11A10M3 | MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS?? Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 100 mΩ (typ.) (VGS = -10 V) (2) Low leakage current: IDSS = -10 µA (max) (VDS = -100 V) (3) Enhancement mode: Vth = -2.0 to -4.0 V (VDS = -10 V, ID = -1 mA) Applications • Switching Voltage Regulators | TOSHIBA 东芝 |   | |
TJ11A10M3 | Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf | TOSHIBA 东芝 | | |
TJ11A10M3 | isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= -11A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= -100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =130mΩ(Max)@VGS= -10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | |
TJ11A10M3 | Power MOSFET (P-ch single) | TOSHIBA 东芝 | |
TJ11A10M3产品属性
- 类型
描述
- 型号
TJ11A10M3
- 制造商
TOSHIBA
- 制造商全称
Toshiba Semiconductor
- 功能描述
MOSFETs Silicon P-Channel MOS(U-MOS??±)
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA |
10+ |
TO-263 |
2998 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
TI |
25+ |
QFP |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
|||
Texas |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
||||
TE |
25+ |
100 |
原厂现货渠道 |
||||
TI |
24+ |
SMD28 |
4000 |
现货供应 |
|||
ANYTEK/恩尼特克 |
TJ3.5 接线端子 12位 插拔式 母 |
70323 |
一级代理百分百有货,原装正品现货,支持实单! |
||||
TI |
20+ |
SOP28 |
2960 |
诚信交易大量库存现货 |
|||
TI |
25+ |
QFP |
110 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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TI |
24+ |
HTQFP48 |
19600 |
常备大量现货,原装正品 |
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TI |
25+ |
QFP |
210 |
全新现货 |
TJ11A10M3规格书下载地址
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