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PHB11N06LT中文资料

厂家型号

PHB11N06LT

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2

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

MOSFET TAPE13 PWR-MOS

数据手册

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生产厂商

ISC

PHB11N06LT数据手册规格书PDF详情

FEATURES

·Drain Current -ID= 11A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage -VDSS= 55V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

-RDS(on) = 0.13Ω(Max)@VGS= 10V

DESCRIPTION

·DC-to-DC Converter

·General Industrial Applications

·Power Motor Control

PHB11N06LT产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PHB11N06LT

  • 功能描述

    MOSFET TAPE13 PWR-MOS

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-18 13:40:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
PHI
24+
TO-263
400
只做原厂渠道 可追溯货源
PH
24+
TO-263
90014
PH
12+
TO-263
15000
全新原装,绝对正品,公司现货供应。
恩XP
23+
SOT-404
5000
原装正品,假一罚十
恩XP
23+
TO-263
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
PHI
18+
SOT-404
30751
全新原装现货,可出样品,可开增值税发票
恩XP
18+
TO-263
41200
原装正品,现货特价
PHI
23+
TO263
9800
全新原装现货,假一赔十
PHI
24+
TO-263
35200
一级代理分销/放心采购
PH
07+PBF
TO-263
400
普通

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