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IRG4BC30K-S中文资料

IRG4BC30K-S
厂家型号

IRG4BC30K-S
文件大小

263.29Kbytes
页面数量

9页
功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)

IGBT UFAST 600V 28A D2PAK
数据手册

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生产厂商

IRF

相近规格书

IRG4BC30K-S产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4BC30K-S

  • 功能描述

    IGBT UFAST 600V 28A D2PAK

  • RoHS

    否

  • 类别

    分离式半导体产品 >> IGBT - 单路

  • 系列

    -

  • 标准包装

    30

  • 系列

    GenX3™ IGBT

  • 类型

    PT 电压 -

  • 集电极发射极击穿（最大）

    1200V Vge,

  • Ic时的最大Vce（开）

    3V @ 15V，100A 电流 -

  • 集电极(Ic)（最大）

    200A 功率 -

  • 最大

    830W

  • 输入类型

    标准

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-247-3

  • 供应商设备封装

    PLUS247?-3

  • 包装

    管件

IRG4BC30K-S供应商...

更新时间：2025-10-8 14:14:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
中天科工半导体（深圳）有限公司
IRG4BC30K-STRR
INFINEON/英飞凌
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