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IRF530NSTRLPBF中文资料

厂家型号

IRF530NSTRLPBF

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4

功能描述

Advanced Process Technology

MOSFET MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC

数据手册

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生产厂商

IRF

IRF530NSTRLPBF数据手册规格书PDF详情

Description

Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

● Advanced Process Technology

● Ultra Low On-Resistance

● Dynamic dv/dt Rating

● 175°C Operating Temperature

● Fast Switching

● Fully Avalanche Rated

● Lead-Free

IRF530NSTRLPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF530NSTRLPBF

  • 功能描述

    MOSFET MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-7 16:26:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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IRF530NSTRLPBF 价格

参考价格:¥2.2210

型号:IRF530NSTRLPBF 品牌:International 备注:这里有IRF530NSTRLPBF多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IRF530NSTRLPBF批发/采购报价,IRF530NSTRLPBF行情走势销售排排榜,IRF530NSTRLPBF报价。