位置:IRF530NSPBF > IRF530NSPBF详情
IRF530NSPBF中文资料
IRF530NSPBF数据手册规格书PDF详情
Description
Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
● Advanced Process Technology
● Ultra Low On-Resistance
● Dynamic dv/dt Rating
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated
● Lead-Free
IRF530NSPBF产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRF530NSPBF
- 功能描述
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 90mOhms 24.7nC
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
IR |
15+ |
原厂原装 |
8700 |
进口原装现货假一赔十 |
|||
IR |
24+ |
D2PAK-3 |
3580 |
原装现货/15年行业经验欢迎询价 |
|||
IR |
24+ |
TO-263 |
20 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
D2PAK |
7793 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
IR |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
|||
DISCRETE |
50 |
IR |
8700 |
||||
IR |
17+ |
TO-263 |
6200 |
100%原装正品现货 |
|||
IR |
2020+ |
TO263 |
20 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
ir |
24+ |
N/A |
6980 |
原装现货,可开13%税票 |
IRF530NSPBF 价格
参考价格:¥2.2547
IRF530NSPBF 资料下载更多...
IRF530NSPBF 芯片相关型号
- 83A2B-B20-K10L
- AA3528SRC
- AD8148ACPZ-RL
- AD8212YRMZ-RL
- AP1608SRCPRV
- B32683-A2103-J289
- B32683-A223-K189
- B41303B9108M000
- B41303B9158M000
- B41303B9338M000
- B43304E2227M000
- B43304H2567M000
- B65811-J160-A41
- B65811-J630-J41
- B72205S0251K311
- B82486-B1202-A
- LM5080MMX
- LS40K250QP
- LS40K750QP
- M3H34FDD
- M3H74FDD
- MAH72FBA-R
- MAH76FBA-R
- MAH78FBA-R
- MHO+43TAAG-R
- MHO+73TAAG-R
- SIOV-S05K25GS2
- XC6103A050
- XC6112A150
- XC6114A050
Datasheet数据表PDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
- P98
- P99
- P100
International Rectifier
International Rectifier Corporation(简称IRF)是一家全球领先的功率半导体制造商,成立于1947年,总部位于美国加利福尼亚州。IRF专注于开发和提供高效能的功率管理解决方案,其产品广泛应用于汽车、工业、消费电子、航空航天、通信和计算等多个领域。公司以其功率MOSFET闻名,提供多种类型的整流二极管,包括肖特基二极管和超快恢复二极管,同时还开发IGBT(绝缘栅双极晶体管)和电源管理IC。IRF在功率半导体领域的创新和技术积累为其赢得了良好的声誉,并于2014年被英飞凌科技股份公司(Infineon Technologies AG)收购,这一收购旨在增强英飞凌在