位置:IRF530NS > IRF530NS详情
IRF530NS中文资料
IRF530NS数据手册规格书PDF详情
Description
Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
● Advanced Process Technology
● Ultra Low On-Resistance
● Dynamic dv/dt Rating
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated
● Lead-Free
IRF530NS产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRF530NS
- 功能描述
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
HEXFET®
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道,金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大)
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO-263 |
8816 |
保证进口原装现货假一赔十 |
|||
IR |
2020+ |
TO-263 |
9600 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
INFINEON |
22+ |
TO-263-2 |
800 |
原装正品可支持验货,欢迎咨询 |
|||
Infineon Technologies |
24+ |
D2PAK |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
|||
IR |
15+ |
原厂原装 |
8700 |
进口原装现货假一赔十 |
|||
IR |
16+ |
TO-263 |
6323 |
全新原装/深圳现货库2 |
|||
IR |
24+ |
D2PAK-3 |
3580 |
原装现货/15年行业经验欢迎询价 |
|||
INFINEON |
20+ |
TO-263 |
50000 |
||||
INFINEON |
2036+ |
1100 |
全新原装!优势库存热卖中! |
||||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO-263 |
3000 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
IRF530NSTRRPBF 价格
参考价格:¥4.5114
IRF530NS 资料下载更多...
IRF530NS 芯片相关型号
- 0603C-11NF
- 6EP1331-1SH03
- CRCW02019K09FOEA
- CRCW040225R0CKTAP
- CRCW0603909RDHTAP
- CRCW12069K09JOEA
- CRCW1218562RFOEA
- CRCW201025R0CKTAP
- CRCW2010909RCKTAP
- DTA143XM
- ECKA3F101FGP
- ECKA3F470FGP
- ELJFB561MF2
- ELJNA10NDFB
- GR70831X0E102KA01D
- GR70831X0ER50KA01D
- GRM0531X0ER50KA01D
- TL082BCDRE4
- TLC27M9CDR
- TLC27M9INE4
- TLV2543IDBR
- TLVH431ACDBVT
- TLVH431ACDBZR
- TLVH431ACDCKTG4
- TLVH431AILP
- TLVH431AILPE3
- TLVH431AQDBVR
- TMS320C6412AZDK5
- TMS320C6412GDKA500
- TMS320C6457CGMHA
Datasheet数据表PDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
International Rectifier
International Rectifier Corporation(简称IRF)是一家全球领先的功率半导体制造商,成立于1947年,总部位于美国加利福尼亚州。IRF专注于开发和提供高效能的功率管理解决方案,其产品广泛应用于汽车、工业、消费电子、航空航天、通信和计算等多个领域。公司以其功率MOSFET闻名,提供多种类型的整流二极管,包括肖特基二极管和超快恢复二极管,同时还开发IGBT(绝缘栅双极晶体管)和电源管理IC。IRF在功率半导体领域的创新和技术积累为其赢得了良好的声誉,并于2014年被英飞凌科技股份公司(Infineon Technologies AG)收购,这一收购旨在增强英飞凌在