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芯片资料

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厂家型号	STBV22W300AY2
文件大小	1031.42Kbytes
页面数量	5页
功能描述	Gallium Nitride 50V, 300W,1.8-2.2GHz RF Power Transistor
数据手册	下载地址一下载地址二
生产厂商	INNOGRATION

Description

The STBV22W300AY2 is a single ended 300watt, GaN HEMT, ideal for applications from 1.8 to 2.2GHz.

It is an input and output matched transistor, and There is no guarantee of performance when this part is

used outside of stated frequencies.

Applications

 L/S band power amplifier

 5G base station amplifier

STBV22W300AY2供应商...

更新时间：2026-2-11 15:30:00

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