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厂家型号	STBV18200BY4
文件大小	1638.51Kbytes
页面数量	6页
功能描述	Gallium Nitride 50V, 200W,1.3-1.8GHz RF Power Transistor
数据手册	下载地址一下载地址二
生产厂商	INNOGRATION

Description

The STBV18200BY4 is a 200watt Doherty pair capable, GaN HEMT, ideal for for 4G/5G cellular

applications from 1.3 to 1.8GHz..

It can be configured as asymmetrical Doherty delivering 80W average power, according to normal

8dB back off.

There is no guarantee of performance when this part is used outside of stated frequencies.

Applications

 Asymmetrical Doherty amplifier

 L band power amplifier

STBV18200BY4供应商...

更新时间：2026-2-12 10:02:00

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