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芯片资料

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厂家型号	STBV22280BY4
文件大小	1237.49Kbytes
页面数量	6页
功能描述	GaN HEMT 50V, 280W,1.8-2.2GHz RF Power Transistor
数据手册	下载地址一下载地址二
生产厂商	INNOGRATION

Description

The STBV22280BY4 is a dual path 280watt , Input matched GaN HEMT, ideal for applications from

1.8 to 2.2GHz especially for LTE/5G

There is no guarantee of performance when this part is used outside of stated frequencies.

Applications

 Asymmetrical Doherty amplifier within 1.8-2.2GHz

 Sub-2GHz power amplifier

 CW or pulsed Amplifier

STBV22280BY4供应商...

更新时间：2026-2-9 10:01:00

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