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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IXTY06N120P | 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：管件 描述：MOSFET N-CH 1200V 90A TO252 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | IXYS 艾赛斯 |   | |
IXTY06N120P | MOSFET N-CH 1200V 90A TO-252 | Littelfuse 力特 | | |
Polar Power MOSFET 文件：121.97 Kbytes Page：4 Pages | IXYS 艾赛斯 | | ||
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：270.58 Kbytes Page：5 Pages | IXYS 艾赛斯 | | ||
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Polar Power MOSFET 文件：121.97 Kbytes Page：4 Pages | IXYS 艾赛斯 | |
IXTY06N120P产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXTY06N120P
- 功能描述
MOSFET N-CH 1200V 90A TO-252
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
-
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾赛斯 |
2447 |
SMD |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
IXYS(艾赛斯) |
25+ |
封装 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
|||
IXYS |
1932+ |
TO-252 |
691 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
IXYS |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-252 |
986966 |
国产 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
DPAK |
60000 |
全新原装现货 |
|||
IXYS |
23+ |
TO-252 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
IXYS/LITTELFUSE |
23+ |
TO-252D |
15800 |
全新原装正品现货直销 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-252 |
59300 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
24+ |
N/A |
64000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
IXTY06N120P规格书下载地址
IXTY06N120P参数引脚图相关
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- l101
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- j111
- j108
- IZ0066
- IZ0065
- IYT0550
- IYD4251
- IYD2151
- IY100T
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2023-9-18IXYH50N120C3D1
IXYH50N120C3D1
2023-5-24IXYH24N170C
IXYH24N170C
2023-5-24IXTH60N20X4
IXTH60N20X4
2022-8-31IXTH60N20X4
IXTH60N20X4
2022-8-11IXTT16N10D2
IXTT16N10D2
2022-6-9
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