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IXTV200N10TS

TrenchMV Power MOSFET

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IXYS

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The G200N10K uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters

GOFORD

谷峰半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 120A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 9mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

Power MOSFET

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IXYS

Polar HiPerFET Power MOSFET

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IXYS

Polar HiPerFET Power MOSFET

文件:91.89 Kbytes Page:5 Pages

IXYS

更新时间:2025-8-6 18:06:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS(艾赛斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾赛斯)全系列在售
IXYS/艾赛斯
23+
PLUSTO-220-SMD
55300
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
IXYS
25+
PLUSTO-220SM
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
IXYS
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PLUS220SMD
9000
原厂渠道,现货配单
IXYS
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PLUS-220SMD
100
IXYS/艾赛斯
22+
PLUS220SMD
25000
只做原装进口现货,专注配单
IXYS
23+
TO-220
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
IXYS/艾赛斯
23+
PLUS220SMD
6000
原装正品,支持实单

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