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IXTT68P20T

P-Channel Enhancement Mode

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IXYS

isc P-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= -68@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= -200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 55mΩ(Max)@VGS= -10V DESCRIPTION ·Switched mode power supplies,audio amplifier, DC motor control,and variable switching power applications.

ISC

无锡固电

P-Channel Enhancement Mode

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IXYS

IXTT68P20T产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXTT68P20T

  • 功能描述

    MOSFET TrenchP Power MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-7 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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