IXTQ200N10价格

参考价格:¥17.7818

型号:IXTQ200N10T 品牌:IXYS 备注:这里有IXTQ200N10多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IXTQ200N10批发/采购报价,IXTQ200N10行情走势销售排行榜,IXTQ200N10报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

TrenchMVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

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IXYS

艾赛斯

TrenchMVTM Power MOSFET

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IXYS

艾赛斯

N通道沟槽栅 Gen1 MOSFET

Littelfuse

力特

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The G200N10K uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters

GOFORD

谷峰半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 120A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 9mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

Polar HiPerFET Power MOSFET

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IXYS

艾赛斯

Power MOSFET

文件:208.05 Kbytes Page:6 Pages

IXYS

艾赛斯

Polar HiPerFET Power MOSFET

文件:91.89 Kbytes Page:5 Pages

IXYS

艾赛斯

IXTQ200N10产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXTQ200N10

  • 功能描述

    MOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-1 12:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
24+
TO-3P
5000
全新原装正品,现货销售
IXYS
24+
TO-247
15000
原装原标原盒 给价就出 全网最低
IXYS
24+
TO-3P
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
IXYS/艾赛斯
23+
TO-3P
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
IXYS
三年内
1983
只做原装正品
24+
N/A
73000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
IXYS(艾赛斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾赛斯)全系列在售
IXYS
23+
TO-3P
2250
正规渠道,只有原装!
IXYS
2447
TO-3P
105000
30个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期
IXYS
23+
N/A
18000
IXYS长期原装现货特价支持主营品牌现货现货

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