IXTQ200N10价格

参考价格:¥17.7818

型号:IXTQ200N10T 品牌:IXYS 备注:这里有IXTQ200N10多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IXTQ200N10批发/采购报价,IXTQ200N10行情走势销售排行榜,IXTQ200N10报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

iscN-ChannelMOSFETTransistor

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ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

TrenchMVTMPowerMOSFETN-ChannelEnhancementModeAvalancheRated

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IXYS

IXYS Corporation

IXYS

TrenchMVTMPowerMOSFET

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IXYS

IXYS Corporation

IXYS

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheG200N10Kusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半导体

GOFORD

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=120A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=9mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

PolarHiPerFETPowerMOSFET

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IXYS

IXYS Corporation

IXYS

PowerMOSFET

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IXYS

IXYS Corporation

IXYS

PolarHiPerFETPowerMOSFET

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IXYS

IXYS Corporation

IXYS

IXTQ200N10产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXTQ200N10

  • 功能描述

    MOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-1 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
24+
TO-247
9486
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
IXYS/艾赛斯
24+
NA/
30
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
IXYS
24+
TO-3P
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
IXYS
17+
TO-3P
20
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
IXYS/艾赛斯
22+
TO-220
100000
代理渠道/只做原装/可含税
IXYS(艾赛斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾赛斯)全系列在售
IXYS
23+
N/A
18000
IXYS长期原装现货特价支持主营品牌现货现货
IXYS/艾赛斯
12+
TO-3P
30140
进口原管现货/30
IXYS/艾赛斯
2223+
TO-3P
26800
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
IXYS
22+23+
TO-3P
8000
新到现货,只做原装进口

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