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IXTP36N20T

封装/外壳:TO-220-3 包装:管件 描述:MOSFET N-CH 200V 36A TO220AB 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

IXYS

艾赛斯

IXTP36N20T

MOSFET 36 Amps 200V 60 Rds

Littelfuse

力特

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 36A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 70mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co

ISC

无锡固电

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:301.57 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

N-Channel Enhancement Mode

文件:72.55 Kbytes Page:2 Pages

IXYS

艾赛斯

IXTP36N20T产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXTP36N20T

  • 功能描述

    MOSFET 36 Amps 200V 60 Rds

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-7 10:09:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
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