位置：首页 > IC中文资料第11790页 > IXTP1R6N100D2
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IXTP1R6N100D2 | Depletion Mode MOSFET 文件：184.55 Kbytes Page：5 Pages | IXYS 艾赛斯 |   | |
IXTP1R6N100D2 | N-Channel MOSFET 文件：283.95 Kbytes Page：7 Pages | IXYS 艾赛斯 | | |
IXTP1R6N100D2 | N沟道耗尽型MOSFET | Littelfuse 力特 | | |
Depletion Mode MOSFET 文件：184.55 Kbytes Page：5 Pages | IXYS 艾赛斯 | | ||
N-Channel MOSFET 文件：283.95 Kbytes Page：7 Pages | IXYS 艾赛斯 | | ||
High Voltage Depletion Mode MOSFET 文件：176.61 Kbytes Page：5 Pages | IXYS 艾赛斯 | |
IXTP1R6N100D2产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXTP1R6N100D2
- 功能描述
MOSFET N-CH MOSFETS(D2) 1000V 1.6A
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-11-23 17:01:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾赛斯 |
25+ |
NA |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
VBsemi |
24+ |
TO220 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
|||
IXYS |
24+ |
TO-220 |
619 |
||||
VBsemi |
21+ |
TO220 |
10026 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
VBsemi |
23+ |
TO220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-TO-220 |
95586 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
24+ |
N/A |
56000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
IXYS |
12+ |
TO-252(DPAK) |
15000 |
全新原装,绝对正品,公司现货供应。 |
|||
IXYS(艾赛斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
IXTP1R6N100D2规格书下载地址
IXTP1R6N100D2参数引脚图相关
- l234
- l101
- l100
- ku波段
- kt250
- kse13005
- ks20
- km710
- ka5q1265rf
- k9f1208
- k310
- k2698
- k233
- k2055
- k2010
- jumper
- jtag接口
- jk触发器
- j111
- j108
- IZ0066
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- IYT0550
- IYD4251
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- IXTP27N20T
- IXTP26P20P
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2023-9-18IXYH24N170C
IXYH24N170C
2023-5-24IXTH60N20X4
IXTH60N20X4
2022-8-31IXTH60N20X4
IXTH60N20X4
2022-8-11IXTT16N10D2
IXTT16N10D2
2022-6-9IXTA3N120承诺百分之百原装
瀚佳科技： 专业销售集成电路IC.单片.内存闪存.二三级管模块等电子元器件.欢迎询价购买。
2018-12-28
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