型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IXTP14N60PM

iscN-ChannelMOSFETTransistor

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ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
IXTP14N60PM

N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrinsicDiode

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IXYS

IXYS Corporation

IXYS

14A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET

FEATURES *RDS(ON)≤0.55Ω@VGS=10V,ID=7.0A *Fastswitchingcapability *Avalancheenergytested *Improveddv/dtcapability,highruggedness

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

14A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET

FEATURES *RDS(ON)≤0.6Ω@VGS=10V,ID=7.0A *Fastswitchingcapability *Avalancheenergyspecified *Improveddv/dtcapability,highruggedness

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=14A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.49Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

DrainCurrentID=14A@TC=25C

文件:136.1 Kbytes Page:2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

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DACO

DACO SEMICONDUCTOR CO.,LTD.

DACO

IXTP14N60PM产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXTP14N60PM

  • 功能描述

    MOSFET Polar MOS

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-7-26 8:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS/艾赛斯
23+
TO-220
59580
原装正品 华强现货
Littelfuse/IXYS
24+
TO220
7350
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!
IXYS
21+
TO-220铁头
10
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
IXYS(艾赛斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾赛斯)全系列在售
IXYS/艾赛斯
22+
TO-220
12245
现货,原厂原装假一罚十!
IXYS/艾赛斯
2022+
TO-220
30000
进口原装现货供应,原装 假一罚十
IXYS/艾赛斯
23+
TO-220
30000
全新原装现货,价格优势
IXYS
24+
TO-220铁头
5000
全新原装正品,现货销售
IXYS
23+
TO-220F
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
IXYS
23+
TO-220铁头
10065
原装正品,有挂有货,假一赔十

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