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IXTN200N10T价格
参考价格：￥116.1329
型号：IXTN200N10T 品牌：Ixys 备注：这里有IXTN200N10T多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IXTN200N10T批发/采购报价，IXTN200N10T行情走势销售排行榜，IXTN200N10T报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IXTN200N10T | TrenchMVTM Power MOSFET 文件：174.08 Kbytes Page：5 Pages | IXYS |   | |
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G200N10K uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters | GOFORD 谷峰半导体 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 120A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 9mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | ||
Power MOSFET 文件：208.05 Kbytes Page：6 Pages | IXYS | | ||
Polar HiPerFET Power MOSFET 文件：119.44 Kbytes Page：5 Pages | IXYS | | ||
Polar HiPerFET Power MOSFET 文件：91.89 Kbytes Page：5 Pages | IXYS | |
IXTN200N10T产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXTN200N10T
- 功能描述
MOSFET
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾赛斯 |
专业模块 |
MODULE |
8513 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
220 |
现货供应 |
||||
IXYS(艾赛斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
|||
原厂 |
2023+ |
模块 |
600 |
专营模块,继电器,公司原装现货 |
|||
IXYS |
19+/20+ |
SOT-227B |
1000 |
主打产品价格优惠.全新原装正品 |
|||
IXYS |
23+ |
模块 |
3562 |
||||
IXYS |
22+ |
SOT227 |
8000 |
原装正品支持实单 |
|||
IXYS |
23+ |
200A100V |
450 |
全新原装正品,量大可订货!可开17%增值票!价格优势! |
|||
Littelfuse/IXYS |
24+ |
SOT-227 |
7800 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
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2023-5-24IXTH60N20X4
IXTH60N20X4
2022-8-31IXTH60N20X4
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2022-8-11IXTT16N10D2
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2022-6-9IXTA3N120承诺百分之百原装
瀚佳科技： 专业销售集成电路IC.单片.内存闪存.二三级管模块等电子元器件.欢迎询价购买。
2018-12-28
DdatasheetPDF页码索引
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