位置：首页 > IC中文资料第450页 > IXTK200N10P
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IXTK200N10P | PolarHTTM Power MOSFET PolarHT™ Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Features • International standard packages • Unclamped Inductive Switching (UIS) rated • Low package inductance - easy to drive and to protect Advantages • Easy to mount • Space savings • High power density | IXYS 艾赛斯 |   | |
IXTK200N10P | isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：294.87 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | |
IXTK200N10P | N通道标准MOSFET | LITTELFUSE 力特 | | |
Polar HiPerFET Power MOSFET 文件：91.89 Kbytes Page：5 Pages | IXYS 艾赛斯 | | ||
PolarTM HiPerFET Power MOSFET 文件：561.32 Kbytes Page：5 Pages | IXYS 艾赛斯 | | ||
Polar HiPerFET Power MOSFET 文件：119.44 Kbytes Page：5 Pages | IXYS 艾赛斯 | | ||
丝印代码：TL；4V Drive Nch MOSFET 文件：290.42 Kbytes Page：6 Pages | ROHM 罗姆 | |
IXTK200N10P产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXTK200N10P
- 功能描述
MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS(艾赛斯) |
25+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
|||
IXYS |
18+ |
TO-264 |
84 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
IXYS |
22+ |
TO2643 TO264AA |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
2450+ |
TOP264-3 |
9485 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
IXYS |
23+ |
TO-3PL |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
|||
IXYS |
24+ |
TO-264 |
8866 |
||||
IXYS |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-264 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
TO-264 |
60000 |
全新原装现货 |
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IXYS |
23+ |
TO-264 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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2018-12-28
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