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High Current Density Surface Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

FEATURES • Very low profile - typical height of 1.1 mm • Ideal for automated placement • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available -

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威世威世科技公司

High Current Density Surface Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

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IXTH8P45产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXTH8P45

  • 功能描述

    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-218VAR

更新时间:2025-12-29 11:49:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
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