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V8P45	High Current Density Surface Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.34 V at IF = 4 A Very low profile - typical height of 1.1 mm\nIdeal for automated placement\nTrench MOS Schottky technology;	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V8P45	High Current Density Surface Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier 文件：104.65 Kbytes Page：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V8P45_V01	High Current Density Surface Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier FEATURES • Very low profile - typical height of 1.1 mm • Ideal for automated placement • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available -	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V8P45HM3_ASLASHH	High Current Density Surface Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.34 V at IF = 4 A • Very low profile - typical height of 1.1 mm • Ideal for automated placement • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available - Automotive	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V8P45HM3_ASLASHI	High Current Density Surface Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.34 V at IF = 4 A • Very low profile - typical height of 1.1 mm • Ideal for automated placement • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available - Automotive	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V8P45-M3/ V8P45HM3	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.34 V at IF = 4 A 分立 ·Very low profile - typical height of 1.1 mm\n·Ideal for automated placement\n·Trench MOS Schottky technology;	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V8P45-M3SLASH86A	High Current Density Surface Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.34 V at IF = 4 A • Very low profile - typical height of 1.1 mm • Ideal for automated placement • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available - Automotive	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
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V8P45HM3	Low forward voltage drop, low power losses 文件：96.11 Kbytes Page：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
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V8P45HM3_A/I	封装/外壳：TO-277，3-PowerDFN 包装：卷带（TR）描述：DIODE SCHOTTKY 45V 8A TO277A 分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单	ETC 知名厂家	ETC
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2021-11-26
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2021-2-9
V962PBC-33LP
二三极管、连接器、模块、光耦、电容电阻、单片机、处理器、晶振、传感器、逻辑芯片、电源芯片、放大器、
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