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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ 100V, 50A, RDS(ON) = 30mΩ @VGS = 10V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ TO-220 & TO-263 package. ■ Lead free product is acquired.

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华瑞

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 100V, 50A, RDS(ON) = 30mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. Lead free product is acquired.

CET-MOS

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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 100V, 50A, RDS(ON) = 30mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. Lead free product is acquired.

CET-MOS

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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ 100V, 50A, RDS(ON) = 30mΩ @VGS = 10V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ TO-220 & TO-263 package. ■ Lead free product is acquired.

CET

华瑞

N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package

文件:866.59 Kbytes Page:6 Pages

FOSHAN

蓝箭电子

更新时间:2025-12-30 23:01:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CET/華瑞
24+
NA/
27350
原装现货,当天可交货,原型号开票
TI
24+
VQFN76
9480
公司现货库存,支持实单
CET
25+
TO-220
53790
原装正品,假一罚十!
CET
20+
TO-220
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
CET/華瑞
25+
TO-220
156730
明嘉莱只做原装正品现货
CET
NA
8560
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
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25+
TO-TO-220
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TO2203
655
CET
25+
VQFN20
86720
代理授权原装正品价格最实惠 本公司承诺假一赔百

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