isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 2A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 1500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 9.2Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·High Voltage Power Supplies ·Capacitor Discharge Applications ·Pulse Circuits

N通道标准高电压MOSFET

• 国际标准包装\n• 快速切换时间\n• 雪崩评级\n• 坚固的多晶硅栅极单元结构\n• 超低的RDS(on);

N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Diode

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N通道线性MOSFET

• 专为线性操作设计\n• 75°C条件下FBSOA得到保证\n• 雪崩评级\n• 国际标准包装\n• 拥有UL 94 V-0易燃性认证 成型环氧树脂;

N-Channel Enhancement Mode Guaranteed FBSOA Avalanche Rated

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丝印代码：AP2N150MP；1500V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 1500V ID =2.0A - RDS(ON)

FORMULA UL Molded Case Circuit Breakers

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