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AP2N150MP

丝印代码:AP2N150MP;1500V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 1500V ID =2.0A - RDS(ON)

APME

永源微电子

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 2A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 1500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 9.2Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·High Voltage Power Supplies ·Capacitor Discharge Applications ·Pulse Circuits

ISC

无锡固电

FORMULA UL Molded Case Circuit Breakers

文件:675.5 Kbytes Page:2 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Diode

文件:146.41 Kbytes Page:4 Pages

IXYS

艾赛斯

N-Channel Enhancement Mode Guaranteed FBSOA Avalanche Rated

文件:115.54 Kbytes Page:5 Pages

IXYS

艾赛斯

更新时间:2026-5-17 17:02:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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