型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IXTH10N60

10 AMP, 600V, 0.55-ohm / 0.7-ohm

10 AMP, 600 V, 0.55Ω/0.7Ω

IXYS

艾赛斯

IXTH10N60

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=10A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =0.7Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC conve

ISC

无锡固电

10 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION The UTC 10N60 is a high voltage and high current power MOSFET, designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching a

UTC

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UTC

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IXTH10N60产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXTH10N60

  • 功能描述

    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-247

更新时间:2025-8-17 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Littelfuse/IXYS
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