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PolarHT Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode Features • International standard packages • Unclamped Inductive Switching (UIS) rated • Low package inductance - easy to drive and to protect Advantages • Easy to mount • Space savings • High power density

IXYS

艾赛斯

N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID= 82A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 250V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 38mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · Motor Drive, DC-DC Converter, Power Switch and Solenoid Drive.

ISC

无锡固电

VOLTAGE DETECTORS

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UTC

友顺

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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IXYS

艾赛斯

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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IXYS

艾赛斯

更新时间:2025-12-17 8:20:01
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IXYS
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IXYS/艾赛斯
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