IXTB30N100L价格

参考价格:¥235.1037

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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IXTB30N100L

N-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=450mΩ(Max)@VGS=20V APPLICATIONS ·DC-DCConverters ·BatteryChargers ·TemperatureandLightingControls

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
IXTB30N100L

PowerMOSFETswithExtendedFBSOA

文件:97.81 Kbytes Page:5 Pages

IXYS

IXYS Corporation

IXYS

LowLossIGBT:IGBTinTrenchStopandFieldstoptechnology

LowLossIGBT:IGBTinTrenchStop®andFieldstoptechnology •TrenchStop®andFieldstoptechnologyfor1000Vapplications offers: -lowVCEsat -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebehavior -positivetemperaturecoefficientinVCEsat •Designedf

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

HighSpeed2-Technology

•Designedfor: -TV–HorizontalLineDeflection •2ndgenerationHighSpeed-Technology for1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior -parallelswitchingcapability -tightparameterdistribution -EoffoptimizedforIC=3A -simpleGa

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

N-TypeFixedAttenuator

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MINI

Mini-Circuits

MINI

SoftSwitchingSeries

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InfineonInfineon Technologies AG

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Infineon

ReverseConductingIGBTwithmonolithicbodydiode

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InfineonInfineon Technologies AG

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Infineon

IXTB30N100L产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXTB30N100L

  • 功能描述

    MOSFET 30 Amps 1000V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-5 10:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
25+
TO-263
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
Littelfuse/IXYS
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