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IXTB30N100L中文资料
IXTB30N100L数据手册规格书PDF详情
FEATURES
· Drain Current -ID= 30A@ TC=25℃
· Drain Source Voltage -VDSS=1000V(Min)
· Static Drain-Source On-Resistance
-RDS(on) = 450mΩ(Max)@VGS= 20V
APPLICATIONS
· DC-DC Converters
· Battery Chargers
· Temperature and Lighting Controls
IXTB30N100L产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXTB30N100L
- 功能描述
MOSFET 30 Amps 1000V
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-5-5 10:12:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
24+ |
PLUS264? |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
TO-263 |
501592 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
|||
IXYS |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
NXP/恩智浦 |
23+ |
SOD113 |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
|||
IXYS |
1809+ |
TO-264 |
96 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
IXYS |
22+ |
TO2643 TO264AA |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
IXYS |
21+ |
TO2643 TO264AA |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-263 |
6000 |
原装正品，支持实单 |
|||
原装正品 |
23+ |
TO-263 |
70803 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
22+ |
TO-263 |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
IXTB30N100L 价格
参考价格：￥235.1037
型号：IXTB30N100L 品牌：Ixys 备注：这里有IXTB30N100L多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IXTB30N100L批发/采购报价，IXTB30N100L行情走势销售排排榜，IXTB30N100L报价。
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Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
中文资料: 26265条
无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年，长期致力于功率半导体器件国产化替代进口，拥有isc和iscsemi两个品牌，获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累，提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块，并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品，同时也销售
