型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IXSX40N60CD1

IGBTwithDiode

ShortCircuitSOACapability Features •Internationalstandardpackages •GuaranteedShortCircuitSOA capability •HighfrequencyIGBTand anti-parallelFREDinonepackage •LatestgenerationHDMOSTMprocess •MOSGateturn-on -drivesimplicity •FastRecovery,lowleakageEpi

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
IXSX40N60CD1

封装/外壳:TO-247-3 变式 包装:管件 描述:IGBT 600V 75A 280W PLUS247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

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IGBTwithDiode

ShortCircuitSOACapability Features •Internationalstandardpackages •GuaranteedShortCircuitSOA capability •HighfrequencyIGBTand anti-parallelFREDinonepackage •LatestgenerationHDMOSTMprocess •MOSGateturn-on -drivesimplicity •FastRecovery,lowleakageEpi

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS

IGBTwithDiodeISOPLUS247

ShortCircuitSOACapability Features •DCBIsolatedmountingtab •MeetsTO-247ADpackageOutline •Highcurrenthandlingcapability •LatestgenerationHDMOSTMprocess •MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications •Uninterruptiblepowersupplies(UPS) •Switched-modeandreson

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IXYS Integrated Circuits Division

IXYS

HiPerFASTIGBTISOPLUS247

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IXYS

IXSX40N60CD1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXSX40N60CD1

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.5 Rds

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-16 15:27:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
22+
PLUS247?3
9000
原厂渠道,现货配单
IXYS-艾赛斯
24+25+/26+27+
TO-247-3
78800
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
IXYS
18+
TO-247
2050
公司大量全新原装 正品 随时可以发货
IXYS
24+
TO-247
12300
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证
IXYS/艾赛斯
22+
TO-247
25000
只做原装进口现货,专注配单
IXYS/艾赛斯
21+ROHS
MODULE
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
IXYS/艾赛斯
23+
TO-247
10000
公司只做原装正品
IXYS
21+
PLUS247?3
13880
公司只售原装,支持实单
IXYS/艾赛斯
23+
TO-247
6000
原装正品,支持实单
IXYS
23+
NA
19960
只做进口原装,终端工厂免费送样

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