IXGH60N60C3D1价格

参考价格:¥25.2390

型号:IXGH60N60C3D1 品牌:Ixys 备注:这里有IXGH60N60C3D1多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IXGH60N60C3D1批发/采购报价,IXGH60N60C3D1行情走势销售排行榜,IXGH60N60C3D1报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IXGH60N60C3D1

GenX3 600V IGBTs with Diode

High Speed PT IGBTs for 40-100kHz switching Features • Optimized for Low Switching Losses • Square RBSOA • High Avalanche Capability • Anti-Parallel Ultra Fast Diode • International Standard Packages Advantages • High Power Density • Low Gate Drive Requirement Applications • High Freque

IXYS

艾赛斯

IXGH60N60C3D1

600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications

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艾赛斯

IXGH60N60C3D1

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 75A 380W TO247AD 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

艾赛斯

IXGH60N60C3D1

PT 高频IGBT

LITTELFUSE

力特

GenX3 600V IGBTs with Diode

High Speed PT IGBTs for 40-100kHz switching Features • Optimized for Low Switching Losses • Square RBSOA • High Avalanche Capability • Anti-Parallel Ultra Fast Diode • International Standard Packages Advantages • High Power Density • Low Gate Drive Requirement Applications • High Freque

IXYS

艾赛斯

High Speed PT IGBT for 40-100 kHz Switching

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IXYS

艾赛斯

IXGH60N60C3D1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGH60N60C3D1

  • 功能描述

    MOSFET 60 Amps 600V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-3-4 15:14:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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