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IXGH60N60C3D1中文资料

厂家型号

IXGH60N60C3D1

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7

功能描述

GenX3 600V IGBTs with Diode

MOSFET 60 Amps 600V

数据手册

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生产厂商

IXYS

IXGH60N60C3D1数据手册规格书PDF详情

High Speed PT IGBTs for 40-100kHz switching

Features

• Optimized for Low Switching Losses

• Square RBSOA

• High Avalanche Capability

• Anti-Parallel Ultra Fast Diode

• International Standard Packages

Advantages

• High Power Density

• Low Gate Drive Requirement

Applications

• High Frequency Power Inverters

• UPS

• Motor Drives

• SMPS

• PFC Circuits

• Battery Chargers

• Welding Machines

• Lamp Ballasts

IXGH60N60C3D1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGH60N60C3D1

  • 功能描述

    MOSFET 60 Amps 600V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-18 13:28:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
24+
Module
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IXYS/艾赛斯
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17+
TO-247
31518
原装正品 可含税交易
IXYS
23+
TO-247
50000
全新原装正品现货,支持订货
IXYS
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IXGH60N60C3D1 价格

参考价格:¥25.2390

型号:IXGH60N60C3D1 品牌:Ixys 备注:这里有IXGH60N60C3D1多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IXGH60N60C3D1批发/采购报价,IXGH60N60C3D1行情走势销售排排榜,IXGH60N60C3D1报价。

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