型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

HiPerFAST IGBT

文件:154.31 Kbytes Page:5 Pages

IXYS

艾赛斯

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 76A 200W TO247AD 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

艾赛斯

PT IGBTs

Littelfuse

力特

PT IGBTs

Littelfuse

力特

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 76A 200W TO247AD 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

艾赛斯

HiPerFAST IGBT

文件:154.31 Kbytes Page:5 Pages

IXYS

艾赛斯

HiPerFASTTM IGBT (Electrically Isolated Backside)

文件:519.25 Kbytes Page:2 Pages

IXYS

艾赛斯

HiPerFAST IGBT

文件:154.31 Kbytes Page:5 Pages

IXYS

艾赛斯

Switching Voltage Regulators

文件:249.55 Kbytes Page:10 Pages

TOSHIBA

东芝

30V N-Channel MOSFETs

文件:612.4 Kbytes Page:6 Pages

BWTECH

IXGH39N60产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGH39N60

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 76 Amps 600V 1.8 Rds

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-3 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS/艾赛斯
24+
NA/
8630
原装现货,当天可交货,原型号开票
IXGH39N60BD1
25+
130
130
IXYS
25+
TO-3P
18000
原厂直接发货进口原装
IXYS
23+
TO-3P
5000
原装正品,假一罚十
24+
8866
IXYS
23+
TO247
8000
只做原装现货
IXYS
23+
TO247
7000
IXYS(艾赛斯)
25+
封装
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
IXYS
22+
TO-247
20000
公司只做原装 品质保障
IXYS
20+
TO-247
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票

IXGH39N60数据表相关新闻