位置：首页 > IC中文资料第8195页 > IXGH39N60
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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HiPerFAST IGBT 文件：154.31 Kbytes Page：5 Pages | IXYS 艾赛斯 |   | ||
封装/外壳：TO-247-3 包装：管件 描述：IGBT 600V 76A 200W TO247AD 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | IXYS 艾赛斯 | | ||
PT IGBTs | Littelfuse 力特 | | ||
PT IGBTs | Littelfuse 力特 | | ||
封装/外壳：TO-247-3 包装：管件 描述：IGBT 600V 76A 200W TO247AD 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | IXYS 艾赛斯 | | ||
HiPerFAST IGBT 文件：154.31 Kbytes Page：5 Pages | IXYS 艾赛斯 | | ||
HiPerFASTTM IGBT (Electrically Isolated Backside) 文件：519.25 Kbytes Page：2 Pages | IXYS 艾赛斯 | | ||
HiPerFAST IGBT 文件：154.31 Kbytes Page：5 Pages | IXYS 艾赛斯 | | ||
Switching Voltage Regulators 文件：249.55 Kbytes Page：10 Pages | TOSHIBA 东芝 | | ||
30V N-Channel MOSFETs 文件：612.4 Kbytes Page：6 Pages | BWTECH | |
IXGH39N60产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXGH39N60
- 功能描述
IGBT 晶体管 76 Amps 600V 1.8 Rds
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
22+ |
TO247AD (IXGH) |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
21+ |
TO247 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
|||
24+ |
8866 |
||||||
IXYS |
23+ |
TO-3P |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
|||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO247 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
IXYS |
25+ |
TO-247-3 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
IXYS |
1932+ |
TO-247 |
295 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
N/A |
23+ |
TO247 |
28888 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
IXYS |
23+ |
TO-3P |
67808 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
|||
IXYS |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
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IXGH39N60规格书下载地址
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- jtag接口
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- IXXAB3
- IXXAB1
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- IXGH40N30AS
- IXGH40N30A
- IXGH40N30
- IXGH40N120C3D1
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IXGH39N60数据表相关新闻
IXFN300N10P
进口代理
2022-12-7IXFT60N60X3HV
IXFT60N60X3HV
2022-8-11IXFP22N65X2M
原装正品现货
2022-7-19IXGH60N60C3D1
IXGH60N60C3D1，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-12-2IXOLAR?高效25％SolarMD模块SM111K04L
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2019-9-17IXOLAR?高效25％SolarBIT太阳能电池KXOB25-12X1F
IXYS / Littelfuse的SolarBIT非常适合为许多类型的电池供电的电网产品充电
2019-9-17
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