型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IXGH39N60B

HiPerFASTIGBT

文件:154.31 Kbytes Page:5 Pages

IXYS

IXYS Corporation

IXYS
IXGH39N60B

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 76A 200W TO247AD 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

IXYS Corporation

IXYS

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 76A 200W TO247AD 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

IXYS Corporation

IXYS

HiPerFASTIGBT

文件:154.31 Kbytes Page:5 Pages

IXYS

IXYS Corporation

IXYS

HiPerFASTTMIGBT(ElectricallyIsolatedBackside)

文件:519.25 Kbytes Page:2 Pages

IXYS

IXYS Corporation

IXYS

HiPerFASTIGBT

文件:154.31 Kbytes Page:5 Pages

IXYS

IXYS Corporation

IXYS

SwitchingVoltageRegulators

文件:249.55 Kbytes Page:10 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

30VN-ChannelMOSFETs

文件:612.4 Kbytes Page:6 Pages

BWTECH

Bruckewell Technology LTD

BWTECH

IXGH39N60B产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGH39N60B

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 76 Amps 600V 1.8 Rds

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-7-19 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS/艾赛斯
24+
NA/
8630
原装现货,当天可交货,原型号开票
IXYS
1932+
TO-247
295
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
IXYS/艾赛斯
19+
MODULE
1290
主打模块,大量现货供应商QQ2355605126
IXGH39N60BD1
130
130
IXYS
23+
TO-3P
5000
原装正品,假一罚十
24+
8866
IXYS/艾赛斯
22+
TO-247
25000
只做原装进口现货,专注配单
IXYS
23+
TO247
8000
只做原装现货
IXYS
23+
TO247
7000
IXYS
22+
TO247AD (IXGH)
9000
原厂渠道,现货配单

IXGH39N60B芯片相关品牌

  • BILIN
  • Cree
  • DIT
  • ETC
  • HY
  • MOLEX2
  • OHMITE
  • RCD
  • SAMESKY
  • spansion
  • TOKEN
  • VBSEMI

IXGH39N60B数据表相关新闻