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位置：首页 > IC中文资料第5269页 > IXGH25N100A

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IXGH25N100A

LowVCE(sat),HighspeedIGBT

Features ●Internationalstandardpackages ●2ndgenerationHDMOSTMprocess ●LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses ●Highcurrenthandlingcapability ●MOSGateturn-on -drivesimplicity ●Voltageratingguaranteedathightemperature(125°C) Applications ●ACmotors

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
IXGH25N100A

LowVHighspeedIGBT

Features ●Internationalstandardpackages ●2ndgenerationHDMOSTMprocess ●LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses ●Highcurrenthandlingcapability ●MOSGateturn-on -drivesimplicity ●Voltageratingguaranteedathightemperature(125°C) Applications ●ACmotors

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
IXGH25N100A

封装/外壳：TO-247-3 包装：管件 描述：IGBT 1000V 50A 200W TO247AD 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
IXGH25N100

LowVHighspeedIGBT

Features ●Internationalstandardpackages ●2ndgenerationHDMOSTMprocess ●LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses ●Highcurrenthandlingcapability ●MOSGateturn-on -drivesimplicity ●Voltageratingguaranteedathightemperature(125°C) Applications ●ACmotors

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
IXGH25N100

LowVCE(sat),HighspeedIGBT

Features ●Internationalstandardpackages ●2ndgenerationHDMOSTMprocess ●LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses ●Highcurrenthandlingcapability ●MOSGateturn-on -drivesimplicity ●Voltageratingguaranteedathightemperature(125°C) Applications ●ACmotors

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
IXGH25N100AU1

HighspeedIGBTwithDiode

Features ●InternationalstandardpackageJEDECTO-247AD ●IGBTandanti-parallelFREDinonepackage ●2ndgenerationHDMOSTMprocess ●LowVCE(sat) -forminimumon-stateconductionlosses ●MOSGateturn-on -drivesimplicity ●FastRecoveryEpitaxialDiode(FRED) -softreco

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
IXGH25N100AU1

封装/外壳：TO-247-3 包装：管件 描述：IGBT 1000V 50A 200W TO247AD 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
DAM25N100C

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

文件：285.52 Kbytes Page：4 Pages

DACO

DACO

DACO
DAM25N100D

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

文件：241.07 Kbytes Page：4 Pages

DACO

DACO

DACO

IXGH25N100A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGH25N100A

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 HIGH SPEED IGBT 1000V 50A

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

IXGH25N100A供应商更多...

更新时间：2024-6-2 8:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
瀚佳科技(深圳)有限公司
IXGH25N100A
IXYS
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鑫勃源（上海北京 青岛）有限公司
IXGH25N100A
IXYS
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管3P
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