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位置：首页 > IC中文资料第118页 > IXGA12N60C

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IXGA12N60C

HiPerFASTIGBT

Features •VeryhighfreqencyIGBT •NewgenerationHDMOSTMprocess •InternationalstandardpackageJEDECTO-220ABandTO-263AA •Highpeakcurrenthandlingcapability Applications •PFCcircuits •ACmotorspeedcontrol •DCservo&robotdrives •Switch-modeandreson

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
IXGA12N60C

封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 包装：管件 描述：IGBT 600V 24A 100W TO263AA 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
IXGA12N60CD1

HiPerFASTIGBTLightspeedSeries

Features •VeryhighfrequencyIGBT •NewgenerationHDMOSTMprocess •InternationalstandardpackageJEDECTO-220ABandTO-263AA •Highpeakcurrenthandlingcapability Applications •PFCcircuit •ACmotorspeedcontrol •DCservoandrobotdrives •Switch-modeandreso

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
IXGA12N60CD1

封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 包装：管件 描述：IGBT 600V 24A 100W TO263AA 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
12N60

12Amps,600/650VoltsN-CHANNELMOSFET

TheUTC12N60areN-Channelenhancementmodepowerfieldeffecttransistors(MOSFET)whichareproducedusingUTCsproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thesedevicesaresuitedforhighefficiencyswitchmodepowersupply.Tominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingp

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
12N60

12Amps,600/650VoltsN-CHANNELMOSFET

文件：358.2 Kbytes Page：7 Pages

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
12N60

12A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET

文件：897.58 Kbytes Page：11 Pages

WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd

东海半导体江苏东海半导体科技有限公司

WXDH
12N60

12A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET

文件：898.09 Kbytes Page：11 Pages

WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd

东海半导体江苏东海半导体科技有限公司

WXDH
12N60

12A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET

文件：897.54 Kbytes Page：11 Pages

WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd

东海半导体江苏东海半导体科技有限公司

WXDH

IXGA12N60C产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGA12N60C

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 24 Amps 600V 2.7 Rds

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

IXGA12N60C供应商更多...

更新时间：2024-5-12 16:16:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市惊羽科技有限公司
IXGA12N60C
IXYS-艾赛斯
24+25+/26+27+
TO-263-3
78800
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
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IXGA14N120B
IXYS/艾赛斯
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TO-263(D2PAK)
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深圳市芯祺盛科技有限公司
IXGA12N60C
IXYS
1746+
TO263
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IXGA12N60CD1
IXYS
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TO-263AA
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深圳市特顺芯科技有限公司
IXGA14N120B
IXYS
08+(pbfree)
TO-263(D2PAK)
8866
询价
天津市博通航睿技术有限公司
IXGA12N60C
IXYS
1932+
TO-263
389
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深圳市创新迹电子有限公司
IXGA12N60C
IXYS/艾赛斯
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TO-263AA
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深圳市国宇半导体科技有限公司
IXGA14N120B
IXYS/艾赛斯
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TO-263
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IXGA12N60C
IXYS
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##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
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深圳市威雅利发展有限公司
IXGA12N60C
IXYS
1932+
TO-263
289
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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