型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IXFT80N10Q

HiPerFETPowerMOSFETsQ-Class

VDSS=100V ID25=80A RDS(on)=15mΩ trr≤200ns N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,HighdV/dt LowGateChargeandCapacitances Features •IXYSadvancedlowgatechargeprocess •Internationalstandardpackages •Lowgatechargeandcapacitance -ea

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS

N-Channel100-V(D-S)175째CMOSFET

FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •175°CMaximumJunctionTemperature •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-Channel100-V(D-S)175째CMOSFET

文件:974.83 Kbytes Page:7 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-CHANNELMOSFETinaTO-220PlasticPackage

文件:1.06093 Mbytes Page:6 Pages

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

FOSHAN

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

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DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

DOINGTER

N-CHANNELMOSFETinaTO-263PlasticPackage

文件:887.74 Kbytes Page:6 Pages

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

FOSHAN

IXFT80N10Q产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXFT80N10Q

  • 功能描述

    MOSFET 80 Amps 100V 0.015 Rds

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-8 11:54:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
21+
TO2683 D3Pak (2 Leads + Tab) T
13880
公司只售原装,支持实单
IXYS艾赛斯中高压MOS管
22+21+
TO-268
3000
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品
IXYS/艾赛斯
2021+
SMD
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
IXYS
23+
SMD
67649
原装正品实单可谈 库存现货
Littelfuse/IXYS
23+
TO268
7350
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!
IXYS
23+
TO2683 D3Pak (2 Leads + Tab) T
9000
原装正品,支持实单
IXYS
22+
TO2683 D3Pak (2 Leads + Tab) T
9000
原厂渠道,现货配单
IXYS
1931+
N/A
18
加我qq或微信,了解更多详细信息,体验一站式购物
IXYS
22+
NA
18
加我QQ或微信咨询更多详细信息,
IXYS/艾赛斯
23+
TO-268
10000
公司只做原装正品

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