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BR80N10 | N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package 文件：1.06093 Mbytes Page：6 Pages | FOSHAN 蓝箭电子 |   | |
BR80N10 | N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.6474 Mbytes Page：5 Pages | DOINGTER 杜因特 | | |
BR80N10 | MOSFET/场效应管 | FOSHAN 蓝箭电子 | | |
N-Channel 100-V (D-S) 175 째C MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 175 °C Maximum Junction Temperature • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-Channel 100-V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：974.83 Kbytes Page：7 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package 文件：887.74 Kbytes Page：6 Pages | FOSHAN 蓝箭电子 | |
更新时间：2026-3-2 10:07:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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