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BR80N10

N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package

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FOSHAN

蓝箭电子

BR80N10

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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DOINGTER

杜因特

N-Channel 100-V (D-S) 175 째C MOSFET

FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 175 °C Maximum Junction Temperature • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 100-V (D-S) 175 째C MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package

文件:887.74 Kbytes Page:6 Pages

FOSHAN

蓝箭电子

更新时间:2025-8-10 20:44:00
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