型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IXFT74N20

HIPERFET POWER MOSFETs

HiPerFET™ Power MOSFETs N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOS™ Family

IXYS

艾赛斯

IXFT74N20

N-Channel: Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

Littelfuse

力特

包装:卷带(TR) 描述:MOSFET N-CH TO268 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

IXYS

艾赛斯

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 35A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 36mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D

ISC

无锡固电

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 74A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 30mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co

ISC

无锡固电

HIPERFET POWER MOSFETs

HiPerFET™ Power MOSFETs N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOS™ Family

IXYS

艾赛斯

PolarHT HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS220

文件:125.74 Kbytes Page:5 Pages

IXYS

艾赛斯

PolarHT HiPerFET Power MOSFET

文件:706.91 Kbytes Page:5 Pages

IXYS

艾赛斯

IXFT74N20产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXFT74N20

  • 功能描述

    MOSFET 74 Amps 200V 0.03 Rds

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-19 14:38:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
22+
TO2683 D3Pak (2 Leads + Tab) T
9000
原厂渠道,现货配单
IXYS/艾赛斯
23+
TO-268D3PAK
42736
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
IXYS/艾赛斯
23+
TO-268S
52388
原装正品 华强现货
IXYS
25+
TO-268
326
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