型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IXFC74N20P

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 35A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 36mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D

ISC

无锡固电

IXFC74N20P

N-Channel: Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

Littelfuse

力特

IXFC74N20P

PolarHT HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS220

文件:125.74 Kbytes Page:5 Pages

IXYS

艾赛斯

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 74A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 30mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co

ISC

无锡固电

HIPERFET POWER MOSFETs

HiPerFET™ Power MOSFETs N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOS™ Family

IXYS

艾赛斯

PolarHT HiPerFET Power MOSFET

文件:706.91 Kbytes Page:5 Pages

IXYS

艾赛斯

IXFC74N20P产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXFC74N20P

  • 功能描述

    MOSFET 35 Amps 200V 0.034 Rds

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-2 15:38:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
IXYS/艾赛斯
23+
ISOPLUS220
6000
原装正品,支持实单
IXYS
23+
TO-220
8000
只做原装现货
IXYS
23+
TO-220
7000
原装正品
23+
TO-220
60600
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
IXYS/艾赛斯
23+
ISOPLUSTO-220
5000
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、
IXYS(艾赛斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾赛斯)全系列在售
IXYS
22+
ISOPLUS220?
9000
原厂渠道,现货配单
IXYS
24+
TO-220
5000
全现原装公司现货
IXYS/艾赛斯
21+
TO-220
10000
原装现货假一罚十

IXFC74N20P数据表相关新闻