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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IXFL44N80 | HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS264 文件：519.47 Kbytes Page：2 Pages | IXYS 艾赛斯 |   | |
IXFL44N80 | N-Channel: Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) | LITTELFUSE 力特 | | |
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 44A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.19Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c | ISC 无锡固电 | | ||
N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION ·Drain Current -ID= 44A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 190mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS ·DC-DC converter ·Battery Chargers ·High speed power switch | ISC 无锡固电 | | ||
Power MOSFET 文件：239.71 Kbytes Page：6 Pages | IXYS 艾赛斯 | | ||
PolarHV HiPerFET Power MOSFET 文件：101.17 Kbytes Page：4 Pages | IXYS 艾赛斯 | |
IXFL44N80产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXFL44N80
- 功能描述
MOSFET 44 Amps 800V 0.165W Rds
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS(艾赛斯) |
25+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
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IXYS |
22+ |
ISOPLUS264? |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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IXYS |
25+ |
ISOPLUS26 |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
IXYS |
23+ |
TO-3PL |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
|||
IXYS艾赛斯 |
1626+ |
ISOPLUS264 |
1022 |
代理品牌 |
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IXYS/艾赛斯 |
23+ |
ISOPLUS264 |
5000 |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-264I |
52388 |
原装正品 华强现货 |
|||
IXYS |
25+ |
TO-264 |
96 |
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IXFL44N80规格书下载地址
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原装正品现货
2022-7-19IXFK27N80Q
IXFK27N80Q，TO-264，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
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IXFK40N90P，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
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