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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IXFL34N100 | HiPerFETTM Power MOSFETs ISOPLUS264(Electrically Isolated Backside) 文件：117.88 Kbytes Page：2 Pages | IXYS 艾赛斯 |   | |
IXFL34N100 | N通道HiPerFET | Littelfuse 力特 | | |
HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS264 文件：115.78 Kbytes Page：2 Pages | IXYS 艾赛斯 | | ||
HiPerFET-TM Power MOSFET HiPerFET Power MOSFET Single MOSFET Die Features • Conforms to SOT-227B outline • Low RDS (on) HDMOSTM process • Rugged polysilicon gate cell structure • Unclamped Inductive Switching (UIS) rated • Low package inductance • Fast intrinsic Rectifier Applications • DC-DC converters • Batte | IXYS 艾赛斯 | | ||
HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr Features ● International standard packages ● miniBLOC, with Aluminium nitride isolation ● Low RDS (on) HDMOSTM process ● Rugged polysilicon gate cell structure ● Unclamped Inductive Switching (UIS) rated ● Low package inductanc | IXYS 艾赛斯 | |
IXFL34N100产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXFL34N100
- 功能描述
MOSFET 34 Amps 1000V 0.28W Rds
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS(艾赛斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
|||
IXYS |
24+ |
SOT-5433&NBS |
4500 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
|||
IXYS |
22+ |
ISOPLUS264? |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
ISOPLUS264 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
IXYS |
25+ |
ISOPLUS26 |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
24+ |
N/A |
48000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-264 PLUS |
65000 |
原装正品 华强现货 |
|||
IXYS |
25+ |
TO-264 |
96 |
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原装正品现货
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